|
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
197,23 kr
-
1 245På lager
-
750På beställningen
-
Nytt hos Mouser
|
Mouser artikelnummer
726-IPDQ60R007CM8XTM
Nytt hos Mouser
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
|
|
1 245På lager
750På beställningen
|
|
|
197,23 kr
|
|
|
141,68 kr
|
|
|
139,04 kr
|
|
|
139,04 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
288 A
|
7 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.7 V
|
370 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.249 kW
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
- IPT60R016CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
131,01 kr
-
3 123På lager
-
Nytt hos Mouser
|
Mouser artikelnummer
726-IPT60R016CM8XTMA
Nytt hos Mouser
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
|
|
3 123På lager
|
|
|
131,01 kr
|
|
|
91,52 kr
|
|
|
81,84 kr
|
|
|
81,84 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
2 000
|
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
142 A
|
16 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.7 V
|
171 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
694 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R016CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
170,17 kr
-
693På lager
-
Nytt hos Mouser
|
Mouser artikelnummer
726-IPDQ60R016CM8XTM
Nytt hos Mouser
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
|
|
693På lager
|
|
|
170,17 kr
|
|
|
138,60 kr
|
|
|
115,39 kr
|
|
|
102,96 kr
|
|
|
96,14 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
135 A
|
16 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.7 V
|
171 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
625 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R037CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
72,93 kr
-
300På lager
-
Nytt hos Mouser
|
Mouser artikelnummer
726-IPDQ60R037CM8XTM
Nytt hos Mouser
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFET:ar HIGH POWER_NEW
|
|
300På lager
|
|
|
72,93 kr
|
|
|
58,41 kr
|
|
|
47,19 kr
|
|
|
42,02 kr
|
|
|
37,18 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
65 A
|
37 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
4.7 V
|
79 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
338 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
|