NXP GD3100 Serie Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar

Resultat: 8
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Serie Monteringsstil Paket/låda Antal kanaler Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 28På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 53 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniserade isolerade gatedrivkretsar IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel