CSD19538Q2 Serie MOSFET:er

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn Förpackning
Texas Instruments MOSFET:er 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2 29 450På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET:er 100-V N channel Nex FET power MOSFET si 314På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 10 000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET:er 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T 327På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Max.: 490
: 3 000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel