IXTP3N100 Serie MOSFET:er

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn Förpackning
IXYS MOSFET:er N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A 60På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET:er 3 Amps 1000V 4.8 Rds 36På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 4.8 Ohms - 20 V, 20 V 4.8 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Polar Tube