MOSIX MOSFET:er

Resultat: 8
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Handelsnamn Förpackning
Toshiba MOSFET:er TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 340På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS 39På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A 134På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A 228På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 21 nC + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 243På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A 277På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 650 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 34 nC + 150 C 45 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A Ledtid 17 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube