.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 68

Tillämpade filter:

Märke = STMicroelectronics

Monteringsstil

Paket/låda

Transistorns polaritet

Antal kanaler

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kanalläge

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Ladda ner tabell (.CSV)

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: 275,88 kr
1 597På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTL90N65G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Läs mer

Datablad

1 597På lager

Klipp band

275,88 kr

211,09 kr

210,54 kr

210,43 kr

Papprulle

197,01 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: 151,58 kr
2 319På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTL35N65G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Läs mer

Datablad

2 319På lager

Klipp band

151,58 kr

107,14 kr

98,45 kr

98,34 kr

94,71 kr

Papprulle

91,96 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 107,14 kr
969På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Läs mer

Datablad

969På lager

Klipp band

107,14 kr

72,71 kr

62,59 kr

62,48 kr

Papprulle

58,52 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 162,69 kr
570På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTW40N120G2VAG

Mouser artikelnummer
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Läs mer

Datablad

570På lager

162,69 kr

100,98 kr

100,76 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1: 307,89 kr
714På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTW70N120G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTW70N120G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

714På lager

307,89 kr

226,27 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

21 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 189,97 kr
5På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT019HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT019HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

Läs mer

Datablad

5På lager

Mer info finns

Klipp band

189,97 kr

156,31 kr

135,19 kr

Papprulle

119,46 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: 244,53 kr
45På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTW90N65G2V

Mouser artikelnummer
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Läs mer

Datablad

45På lager

Mer info finns

244,53 kr

218,68 kr

191,40 kr

191,29 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 196,24 kr
637På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT012W90G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012W90G3-4AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

637På lager

196,24 kr

128,04 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 220,55 kr
832På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT016H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT016H120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

832På lager

Klipp band

220,55 kr

159,61 kr

159,28 kr

159,17 kr

Papprulle

148,72 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 194,04 kr
667På lager
600På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT020HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

667På lager

600På beställningen

Klipp band

194,04 kr

160,82 kr

139,04 kr

Papprulle

129,14 kr

Beräkning

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 119,90 kr
1 071På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT027H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027H65G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

1 071På lager

Klipp band

119,90 kr

84,04 kr

73,04 kr

Papprulle

68,20 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 127,82 kr
653På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

653På lager

Mer info finns

Klipp band

127,82 kr

89,54 kr

78,87 kr

Papprulle

77,33 kr

73,70 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 100,10 kr
537På lager
600På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

537På lager

600På beställningen

100,10 kr

61,27 kr

58,30 kr

55,55 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 118,58 kr
638På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3-4AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

638På lager

118,58 kr

86,57 kr

70,29 kr

70,18 kr

66,88 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 80,74 kr
1 764På lager
1 799På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT055TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT055TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

1 764På lager

1 799På beställningen

Klipp band

80,74 kr

55,33 kr

48,84 kr

44,33 kr

40,59 kr

Papprulle

40,59 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 236,61 kr
118På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT011HU75G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT011HU75G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

118På lager

Mer info finns

Klipp band

236,61 kr

173,91 kr

173,80 kr

Papprulle

162,36 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 90,42 kr
37På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT040TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Läs mer

Datablad

37På lager

Mer info finns

Klipp band

90,42 kr

68,31 kr

50,71 kr

47,30 kr

Papprulle

47,30 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 194,37 kr
139På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT012H90G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

139På lager

Mer info finns

Klipp band

194,37 kr

139,59 kr

135,63 kr

Papprulle

126,72 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 146,41 kr
175På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

175På lager

Klipp band

146,41 kr

103,40 kr

99,55 kr

94,27 kr

Papprulle

88,00 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 147,73 kr
532På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT018W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

532På lager

147,73 kr

104,39 kr

88,88 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 178,75 kr
513På lager
Nytt hos Mouser

Tillverk: Artikelnummer
SCT020W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT020W120G3-4AG

Nytt hos Mouser

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

513På lager

178,75 kr

113,74 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 182,82 kr
587På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

587På lager

Mer info finns

182,82 kr

122,21 kr

112,53 kr

105,27 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 170,94 kr
471På lager
Nytt hos Mouser

Tillverk: Artikelnummer
SCT025W120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3AG

Nytt hos Mouser

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

471På lager

170,94 kr

125,07 kr

109,78 kr

104,61 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 154,00 kr
338På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT027W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Läs mer

Datablad

338På lager

154,00 kr

69,74 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 124,41 kr
670På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

Läs mer

Datablad

670På lager

124,41 kr

86,90 kr

71,17 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W