.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultat: 68

Tillämpade filter:

Märke = STMicroelectronics

Monteringsstil

Paket/låda

Transistorns polaritet

Antal kanaler

Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning

Id - Kontinuerlig dräneringsström

Rds på - Dräneringskällans resistans

Vgs - Gate-källans spänning

Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

Qg - Gate-laddning

Minsta drifttemperatur

Maximal drifttemperatur

Pd - Effektavledning

Kanalläge

Kvalificering

Återställ alla

Sök inom resultat

På lager

Finns normalt i lager

Aktiv

Nya produkter

Överensstämmer med RoHS-direktiv

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Ladda ner tabell (.CSV)

Artikelnummer

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 119,57 kr
303På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT070W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

303På lager

Mer info finns

119,57 kr

98,45 kr

75,57 kr

67,54 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 120,01 kr
136På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT040HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

136På lager

Klipp band

120,01 kr

84,15 kr

73,15 kr

Papprulle

68,31 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 131,89 kr
47På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT055W65G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

47På lager

131,89 kr

105,71 kr

92,40 kr

66,77 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 115,17 kr
85På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT070H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

85På lager

Klipp band

115,17 kr

80,63 kr

69,30 kr

Papprulle

64,79 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: 84,04 kr
567På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT1000N170

Mouser artikelnummer
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

Läs mer

Datablad

567På lager

84,04 kr

57,53 kr

42,57 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 150,37 kr
470På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT20N120AG

Mouser artikelnummer
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

Läs mer

Datablad

470På lager

150,37 kr

110,99 kr

77,00 kr

Granska

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: 166,10 kr
90På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTWA40N12G24AG

Mouser artikelnummer
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

90På lager

166,10 kr

118,03 kr

103,40 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 236,61 kr
118På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT011HU75G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT011HU75G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

118På lager

Mer info finns

Klipp band

236,61 kr

173,91 kr

173,80 kr

Papprulle

162,36 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 126,06 kr
56På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCT070HU120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Läs mer

Datablad

56På lager

Mer info finns

Klipp band

126,06 kr

87,01 kr

78,21 kr

Papprulle

74,69 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: 275,44 kr
101På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTWA90N65G2V-4

Mouser artikelnummer
511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

101På lager

275,44 kr

208,23 kr

199,32 kr

189,97 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: 326,26 kr
281På lager
NRND

Tillverk: Artikelnummer
SCTW100N65G2AG

Mouser artikelnummer
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

Läs mer

Datablad

281På lager

326,26 kr

243,32 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
1: 305,25 kr
28På lager

Tillverk: Artikelnummer
SCTWA70N120G2V-4

Mouser artikelnummer
511-SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

28På lager

305,25 kr

223,85 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HIP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 162,36 kr
9På lager
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT025H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

9På lager

Mer info finns

Klipp band

162,36 kr

115,17 kr

107,58 kr

Papprulle

100,32 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 227,81 kr

Tillverk: Artikelnummer
SCT015W120G3-4AG

Mouser artikelnummer
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

Mer info finns

227,81 kr

154,77 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 127,93 kr
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT027HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT027HU65G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

Läs mer

Datablad

Mer info finns

Klipp band

127,93 kr

95,48 kr

82,61 kr

Papprulle

73,04 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 120,01 kr

Tillverk: Artikelnummer
SCT040H120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

Mer info finns

Klipp band

120,01 kr

84,15 kr

73,15 kr

Papprulle

68,31 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 119,24 kr

Tillverk: Artikelnummer
SCT055HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Läs mer

Datablad

Mer info finns

Klipp band

119,24 kr

83,49 kr

72,38 kr

Papprulle

67,54 kr

MouseReel tillgängligt

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: 87,01 kr

Tillverk: Artikelnummer
SCT10N120AG

Mouser artikelnummer
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

Läs mer

Datablad

Mer info finns

87,01 kr

51,15 kr

44,66 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: 158,84 kr
100På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT025H120G3-7

Mouser artikelnummer
511-SCT025H120G3-7

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

100På beställningen

Klipp band

158,84 kr

122,87 kr

106,37 kr

106,26 kr

Papprulle

93,94 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 108,79 kr
100På beställningen
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT040W120G3-4

Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3-4

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Läs mer

Datablad

100På beställningen

108,79 kr

66,00 kr

60,83 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: 713,46 kr
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCTHC250N120G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCTHC250N120G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Datablad

Mer info finns

713,46 kr

576,62 kr

540,65 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 nC

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1: 219,78 kr
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT011H75G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT011H75G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor

Klipp band

219,78 kr

190,19 kr

Papprulle

161,70 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 1 000

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 209,44 kr
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT014HU65G3AG

Mouser artikelnummer
511-SCT014HU65G3AG

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor

Klipp band

209,44 kr

172,81 kr

159,17 kr

Papprulle

135,30 kr

Min.: 1
Multipla: 1

Papprulle: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

SCT014TO65G3
STMicroelectronics
1 800: 99,44 kr
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT014TO65G3

Mouser artikelnummer
511-SCT014TO65G3

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor

Papprulle

99,44 kr

Granska

Min.: 1 800
Multipla: 1 800

Papprulle: 1 800

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 83,60 kr
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
Ny produkt

Tillverk: Artikelnummer
SCT018H65G3-7

Mouser artikelnummer
511-SCT018H65G3-7

Ny produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Läs mer

Datablad

Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor

Papprulle

83,60 kr

Min.: 1 000
Multipla: 1 000

Papprulle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

STMicroelectronics SiC-MOSFET:ar

Kundtjänstkontor

Företag

Resurser

Support

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W