|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
- SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
189,31 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT018HU65G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
|
|
|
189,31 kr
|
|
|
151,69 kr
|
|
|
142,34 kr
|
|
|
120,89 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
60 A
|
29 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
82.5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
388 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
- SCT018W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
120,67 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT018W65G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
Min.: 600
Multipla: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
55 A
|
27 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
398 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
- SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
192,50 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT019W120G3-4AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
|
|
|
192,50 kr
|
|
|
160,49 kr
|
|
|
158,51 kr
|
|
|
139,04 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
90 A
|
26 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
4.2 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
486 W
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
- SCT020H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
174,46 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT020H120G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
|
174,46 kr
|
|
|
139,70 kr
|
|
|
120,78 kr
|
|
|
120,67 kr
|
|
|
106,81 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
- SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics
-
600:
124,63 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT025W120G3-4
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
|
|
Min.: 600
Multipla: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
37 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
388 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
- SCT027TO65G3
- STMicroelectronics
-
1 800:
80,19 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT027TO65G3
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
|
|
Min.: 1 800
Multipla: 1 800
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
- SCT040W120G3
- STMicroelectronics
-
600:
122,32 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT040W120G3
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
|
|
Min.: 600
Multipla: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
40 A
|
54 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.2 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
312 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
- SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics
-
1 000:
54,78 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT070H120G3-7
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
|
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
223 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
103,51 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT070W120G3-4
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
|
|
|
103,51 kr
|
|
|
61,82 kr
|
|
|
56,10 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
Through Hole
|
HiP247-4
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
30 A
|
87 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
3 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
236 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
- SCT070W120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
114,95 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT070W120G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
|
114,95 kr
|
|
|
93,61 kr
|
|
|
78,10 kr
|
|
|
64,90 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
- SCTHCT250N12G3AG
- STMicroelectronics
-
448:
540,65 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCTHCT250N12G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
|
|
Min.: 448
Multipla: 448
|
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
239 A
|
10.5 mOhms
|
-10 V, 22 V
|
4.4 V
|
304 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
994 W
|
Enhancement
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
- SCTWA90N65G2V
- STMicroelectronics
-
600:
189,20 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
|
Mouser artikelnummer
511-SCTWA90N65G2V
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
|
|
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
|
|
Min.: 600
Multipla: 600
|
|
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
119 A
|
24 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
5 V
|
157 nC
|
- 55 C
|
+ 200 C
|
565 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
- SCT012HU90G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
176,00 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT012HU90G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
|
|
Min.: 600
Multipla: 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
STMicroelectronics SCT019H120G3AG
- SCT019H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1 000:
101,75 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT019H120G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
- SCT040H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1 000:
65,89 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT040H65G3-7
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
- SCT040W65G3AG
- STMicroelectronics
-
600:
64,57 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT040W65G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
|
64,57 kr
|
|
|
58,85 kr
|
|
Min.: 600
Multipla: 600
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
- SCT055H65G3-7
- STMicroelectronics
-
1 000:
47,30 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT055H65G3-7
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
- SCT055H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
100,43 kr
-
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
-
Ny produkt
|
Mouser artikelnummer
511-SCT055H65G3AG
Ny produkt
|
STMicroelectronics
|
SiC-MOSFET:ar Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
|
|
Ledtid för icke lagerfört 21 Veckor
|
|
|
100,43 kr
|
|
|
69,63 kr
|
|
|
57,86 kr
|
|
|
54,12 kr
|
|
Min.: 1
Multipla: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
|
Sverige